2分でわかるスマホの最新トレンド。メモリの進化で劇的スピードアップへ

速度重視のデジタルガジェットといえばスマートフォン。パソコンやタブレットも速度重視ではあるものの、いまどき最先端技術が真っ先に投入されるのはスマートフォンですから、各社の最新機種を見ればスピードアップにつながる先端技術がわかる、ともいえます。そのなかのひとつが「フラッシュメモリ」。フラッシュメモリといえば、着脱可能なSD／MicroSDカードやSSDを思い浮かべますが、デジタルガジェットでは内蔵用／着脱不可のeMMCが主流です。しかし最先端を行くスマートフォンにおいてeMMCは過去のものであり、2021年現在では「UFS（Universal Flash Storage）」など代替技術に取って代わられつつあります。UFSの仕様にはいくつかのバージョンがあり、2021年現在Android端末のフラッグシップ機には「UFS 3.1」が多く採用されています。従来のUFS 2.1に比べ書き込み速度を2 - 3倍に高めた「WriteBoost」、消費電力を抑える「UFS-Deep Sleep Power Mode」などの新機能により、より高速で省エネな内蔵ストレージを実現しています。

UFS 3.1に対応したUFSモジュール「iNAND MC EU521」UFS 3.1における理論上の最高速度は23.2 Gビット/秒。eMMC 4.5（最大1.6Gビット/秒）やeMMC 5.0（最大3.2Gビット/秒）と比べると圧倒的な圧倒的に高速です。これほどの高速性があれば、8K映像など転送速度が求められるコンテンツの記録にも余裕で対応できそうです。なお、フラッシュメモリの接続規格としては、iPhoneやPS5の増設用スロット（エムドットツー）などに採用されている「NVMe」もあります。こちらも実効速度で31.5Gビット/秒という速さですから、ストレージの高速性が求められるデジタルガジェットで見かける機会は増えるかもしれません。